通辽干式变压器的发展历史

半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上首台以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR），1957年又开发了全球首台用于功率转换和控制的通辽干式变压器整流器（SCR）。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势，尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率，令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上，通辽干式变压器迅速取代了水银整流器（引燃管），实现整流器的固体化、静止化和无触点化，并获得巨大的节能效果。从1960年代开始，由普通通辽干式变压器相继衍生出了快速通辽干式变压器、光控通辽干式变压器、不对称通辽干式变压器及双向通辽干式变压器等各种特性的通辽干式变压器，形成一个庞大的通辽干式变压器家族。
但通辽干式变压器本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的通辽干式变压器属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过通辽干式变压器的正向电流小于维持电流。由于通辽干式变压器的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断通辽干式变压器（GTO）日趋成熟，成功克服了普通通辽干式变压器的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。